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2024.09.03
環境日本
「生産性に優れたSi基板上GaN系パワー半導体向けMOCVD装置の開発」がNEDO事業に採択

大陽日酸は、国立大学法人名古屋工業大学・窒化物半導体マルチビジネス創生センターと共同で、国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)の「脱炭素社会実現に向けた省エネルギー技術の研究開発・社会実装促進プログラム」に「生産性に優れた Si 基板上GaN系パワー半導体向け MOCVD装置の開発」を提案し、採択されました。本提案では、高い電気エネルギー変換効率を持つGaN/Si エピ基板を安定的に供給可能な世界最大級の次世代量産型MOCVD装置の完成を目指し、脱炭素社会の実現と国内産業の活性化に貢献します。